8月26日，成都电★子信息产业链现代化攻坚重大项」目在京签约，其中，奕斯伟将在成都高新区建设面板级封装系统集成电路基地。该项目具有扇出型、高密度与高带宽SiP、面板级封装三大技术优势，可进一步提高芯片集成度、减小产品尺寸并提升性能，项目总投资约110亿元。
当前，集成电路制造进入后摩尔定律时代，先进制程工艺成本越来越高，技术难度越来越大，以扇出型（Fan-Out）、晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）、倒装芯片球栅阵列封装（FC-BGA）、2.5D/3D封装为代表的先进封装工艺，在实现芯片微型化、集成度进一步提高的同时也在提升芯片性能方面展现了巨大优势。其中，扇出型封装具有外形尺寸小、集成度高、电热学性能好等优势，可作为高密度系统□集成封装平台（SiP、2.5D/3D），契合未来产业发展趋势，对比其他封装∮技术优势突出。
目前，全球各大主流厂商已在此方向持续投资布局，奕斯伟面板级封装系统集成电路基地投产后，将进一步提升我国先进封测技术水平，具有广阔市场空间。
