奕斯伟提供高品质∞的集成电路用硅单晶抛光片和外延片，广泛应用于☉电子通讯、汽车制造、人工智能、消费电子△等领域。
针对集Ψ成电路先进微纳制程对硅片的需求，奕斯伟优选先进设备和工艺，结合最高等级洁净间设计和生产管控，制造无位错、无原生◣缺陷、超平坦和优良纳米形貌的12英寸硅片。目前，奕斯伟在西安拥有一座硅产业基地，设计产能50万片/月。产品主要为14nm及→以下集成电路先进制程使用的硅单晶抛光片及外延片，适用领域包括逻辑芯片（Logic）、闪存芯片（3D NAND & Nor Flash）、动态随机存储芯片（DRAM）、图像传感器（CIS）、显示驱动芯片（Display Driver IC）等。
单晶硅棒经过切割、研磨、化学机械抛光及清洗后得到具有镜状表面的硅片通常被称为硅抛光片。
工艺：将高纯多晶硅放入石英坩埚，加热至1400℃以上，融化成硅溶液，再把籽晶浸入硅熔液，经过引晶、放肩、转肩、等径生长、收尾等步骤，完成一根单晶硅棒的拉制。在单晶硅棒产出后，将晶棒切割成300~400毫米长的硅块，之后采用线切割得到厚度约1毫米的薄片，再对其进行抛光、清洗加工，得到高品】质的抛光片。
应用领域：12英寸抛光片广泛用于NAND闪存芯↓片和DRAM内存芯片等。
在硅抛光片衬底上，通过外延生长形成具有单晶薄膜的硅片通常被称为外延片。
工艺：应用化学气相沉积技术，在抛光片上外延出整齐排列的高品质单晶。
应用领域：12英寸外延片广泛用于CPU/GPU等逻辑芯片◎、MOSFET/IGBT等功率器件、图像传感＠器等。
